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單晶矽片
区熔矽片
什么是区熔矽片?
区熔矽片就是通过区熔法(Float Zone)长晶得到区熔單晶矽棒,然后把單晶矽棒加工成矽片,叫做区熔矽片。区熔矽片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触,硅材料处于悬浮状态,因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低,杂质更少,电阻率更高,适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。
区熔矽片在长晶过程中,通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此区熔矽片大多是本征型,不掺杂的高阻片,电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某些情况下,也可以通过NTD中照和GD气掺来实现对区熔硅棒的掺杂,以达到均匀性更好和更低的电阻率。
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商品詳情
Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Growth Method FZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
Type/Dopant Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (um) 279 380 525 625 675 725
Thickness Tolerance Standard ± 25um ±50um
Resistivity(Ohm-cm) 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5
Surface Finished P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um) Standard < 10 um
Bow/Warp  (um) Standard <40 um <50um
Particle <10@0.3um


公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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