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化合物半導體
鍺片(Ge)
粉末狀呈暗藍色,結晶狀,爲銀白色脆金屬。密度5.35克/厘米3。熔點937.4℃。沸點2830℃。化合價+2和+4。第一電離能7.899電子伏特。是一種稀有金屬,重要的半導體材料。不溶于水、鹽酸、稀苛性堿溶液。溶于王水、濃硝酸或硫酸、熔融的堿、過氧化堿、硝酸鹽或碳酸鹽。在空氣中不被氧化。其細粉可在氯或溴中燃燒。
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商品詳情
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鍺性質
具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。鍺的熔密度5.32克/厘米3,鍺可能性劃歸稀散金屬,鍺化學性質穩定,常溫下不與空氣或水蒸汽作用,但在600~700℃時,很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時,鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中,鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱,但熔融的堿在空氣中,能使鍺迅速溶解。鍺與碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不會被碳所汙染。鍺有著良好的半導體性質,如電子遷移率、空穴遷移率等等。鍺的發展仍具有很大的潛力。現代工業生産的鍺,主要來自銅、鉛、鋅冶煉的副産品

化學式  Ge 
分子量  72.61 
純度 6N 
外觀 錠狀多晶、單晶 
用途 鍺被廣泛應用于電子工業、紅外光學器件、光纖、醫學、冶金、能源、太陽能電池等方面。 

 
Ge Wafer Specification
Type/Dopant 導電類型/摻雜元素 N-Type/Si P-Type/Zn
Dopant/摻雜元素 As, Sb Ga
Growth Method 长晶方式 CZ
Diameter 直徑 2", 3", 4", 6"
Orientation 晶向 (100)±0.5°
Thickness 厚度 (µm) 175-500um±25um
OF/IF 參考邊 US EJ
Resistivity 電阻率 (ohm-cm) 0.005-30 0.005-0.4
Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) <300 <300
TTV 平整度 [P/P] (µm) <15
TTV 平整度 [P/E] (µm) <25
Warp 翹曲度 (µm) <25
Surface Finished 表面加工 P/P, P/E, E/E

 
公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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